ASML 발표…인텔 파운드리, High NA EUV로 Panther Lake 대량 생산

The Next Web에 따르면 Panther Lake는 인텔 18A 공정으로 제조되며, 1월 CES에서 출시된 뒤 200개가 넘는 노트북 설계에 탑재돼 출하되고 있다. The Next Web에 따르면 High NA EUV는 당초 14A 공정에 도입될 예정이었으나 Panther Lake의 일부 18A 레이어에 먼저 적용됐다.

ASML의 설명에 따르면 해당 18A 레이어는 High NA 장비와 기존 NXE 장비에서 수율이 일치하도록 이중 인증됐다고 The Next Web은 전했다. The Next Web에 따르면 인텔 파운드리 책임자 나가 찬드라세카란은 일부 18A 레이어에 High NA 선택지를 인증해 기존 장비군이 고객 생산량을 늘리도록 하는 한편 후속 노드를 위한 선택지를 개발하고 있다는 취지로 설명했다.

High NA EUV 장비 가격은 약 4억 달러로 표준 EUV 장비의 약 두 배다. The Next Web에 따르면 High NA EUV의 개구수는 0.55이고 표준 EUV 장비는 0.33이며, 단일 노광에서 구현할 수 있는 최소 피처는 13나노미터에서 8나노미터로 줄어든다.

The Next Web에 따르면 TSMC 회장 C.C. 웨이는 6월 주주들에게 회사가 High NA 장비를 보유해 연구하고 있으나 비용 때문에 대량 생산에는 사용하지 않고 있다고 말했다. The Next Web은 2029년을 목표로 하는 TSMC의 A13과 A12 공정에 High NA가 필요하지 않을 것으로 전망된다고 보도했다.

The Next Web에 따르면 인텔과 ASML은 2024년 미국 오리건주 힐즈버러에 업계 최초의 상용 High NA 시스템을 통합했고, 인텔은 12월 2세대 TWINSCAN EXE:5200B의 인수 검사를 통과했다. The Next Web은 인텔이 지난주 아일랜드 공장에 50억 유로를 투입했다고 보도했으며, 인텔은 해당 발표에 대한 논평을 거부했다고 전했다.

The Next Web에 따르면 ASML은 2026년 매출 전망을 360억400억 유로에서 430억450억 유로로 높이고, 향후 2년 동안 EUV와 DUV 생산능력을 해마다 30% 확대하겠다고 밝혔다. 또 The Next Web은 인텔 14A 공정의 위험 생산이 2028년으로 예정돼 있고 공정 설계 키트 0.9 버전은 10월 제공될 예정이라고 보도했다.